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ALTAS®(Reg.No.3,203,896)是采用高周波特性优良的单层结构设计，可实现体积超轻薄但电 |
容值大的Hi-K单层电容。 |
| 首创日本使用K=16,000~30,000高诱电体陶瓷基板共有二种厚度供客户选用。 |
特点
- 采用高周波特性优良的单层结构设计
- 首创日本使用K=30,000高诱电体陶瓷基板确保高电容值
- 温度特性佳
- 实现尺寸超小型化
- 耐高电压、高信赖度
- 符合EIA IV分级标准
规格
K=16,000 |
| 内容 |
规格 |
| 温度特性 |
± 22% @ -55℃ to + 125℃ (X7S) |
| 诱电体分级(EIA Class) |
Class Ⅳ |
| 样式 |
无边型(C-Type) |
| 尺寸: W x L |
0.25x0.25mm to 1.00x1.00mm |
| 厚度 |
0.250±0.025mm & 0.150±0.025mm |
| 表底镀层(镀层厚度) |
Ti（700 Å）/ Pt（1,500 Å）/ Au（4 um） |
| 额定电压 |
100V for t=0.250mm |
| 50V for t=0.150mm |
| 电容值 |
50pF to 1,000pF @ +25℃ & 1kHz |
| 电容值公差 |
M = ±20% |
| Z = -20%/ +80% |
| V = -0%/ +100% |
| DF (损失系数) |
< 2.5% @+25℃ & 1kHz |
| IR (绝缘电阻) |
> 1010Ω @ +25℃ |
| DWV (绝缘破坏电压) |
Rated Voltage × 2.5 @ +25℃ |
K=30,000 |
| 内容 |
规格 |
| 温度特性 |
± 15% @ -55℃ to + 125℃ (X7R) |
| 诱电体分级(EIA Class) |
Class Ⅳ |
| 样式 |
无边型(C-Type) |
| 尺寸: W x L |
0.25x0.25mm to 2.25x2.25mm |
| 厚度 |
0.250±0.025mm & 0.150±0.025mm |
| 表底镀层(镀层厚度) |
Ti（700 Å）/ Pt（1,500 Å）/ Au（4 um） |
| 额定电压 |
50V for t=0.250mm |
| 25V for t=0.150mm |
| 电容值 |
100pF to 10,000pF @ +25℃ & 1kHz |
| 电容值公差 |
M = ±20% |
| Z = -20%/ +80% |
| V = -0%/ +100% |
| DF (损失系数) |
< 2.5% @+25℃ & 1kHz |
| IR (绝缘电阻) |
> 1010Ω @ +25℃ |
| DWV (绝缘破坏电压) |
Rated Voltage × 2.5 @ +25℃ |
特性数据
| Typical Temperature Characteristic |
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Typical Aging Property |
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| Typical DC Bias Characteristic |
Typical Resonance Frequency |
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选购指南
品质保证
基本质量保证(每一LOT) |
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Wire Bonding测试 |
MIL-STD-883F M2011 |
| Die Shear测试 |
MIL-STD-883F M2019 |
| 耐热测试 |
400 ℃ x 5分钟 |
可靠性
| 寿命测试 |
125℃ x Working Voltage x 2000hr |
| 湿度测试 |
85℃ x 85%RH x 3.0V(±0.25) x 240hr |
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