テクダイヤ株式会社

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ダイヤモンド応用製品

ダイヤモンド ・ スクライブツール

テクダイヤ独自の工法によるダイヤモンド ・ スクライブツールです。

ダイヤモンド・スクライビングツール

ワークに水も熱も与えることなく、ドライなクリーンカットができる工法として、スクライブ技術は、今日の半導体製造プロセスにおいても欠かせない技術の一つです。
長年のダイヤモンド加工の経験を活かし、各種ウェハに対応するスクライブツールを取り揃えています。

スクライブツールセレクション

この表以外にも、ウェハ表面加工(エッチング有無、保護膜の材質他)、またチップサイズ(アスペクト比)など様々な状況により最適なスクライブツールが変わります。

スクライブツール紹介

TD-3YP

SiC、サファイアウェハ用

TD-3P

半導体ウェハ用(InP他)

TD-4PB

半導体ウェハ用(Si他)・
(トゥカット)

TD-420

半導体ウェハ用(GaAs他)・
ガラス用(ヒールカット)

*角度についてはご指定ください。

TD-2P

半導体ウェハ用
(カスタム品)

TD-8P

スクライブ条件抽出・開発用
(トゥ・ヒールカット/カスタム品)

*角度についてはご指定ください。

スクライブカットの特徴

ドライカット

スクライブ中に水を用いないため、水溶性の素材や静電気
他、水が原因によるチップへの悪影響がありません。

チップ集積率向上

一般的に、スクライブによるV溝の幅は2~5μmであるため、ウェハ当りのチップ集積率が上がり、コストダウンを計画できます。

クラックコントロール

スクライブカットは、スクライブで発生する内部応力を用い、そこから起きるクラックで、チップを希望通りの形状にカットすることです。
このクラックを上手にコントロールするためには、ウェハに最適な刃先形状を選択することが必要です。

スクライブ ライン形状(TD-2P)

スクライブカット チップ断面

レーザーカット チップ断面

関連サイト

ケーススタディページ(ZnOウェハのパーフェクトスクライブの事例)

ケーススタディページ(スクライブカットによるメサ型ストリート基板チップ化の事例)

ケーススタディページ(SiCウェハのパーフェクトスクライブの事例)

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