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高周波 ・ 光デバイス用セラミック製品 セラミック製品検索

アルミナ薄膜回路基板

多様なカスタムデザインに対応します。
2.5μmから8μmメッキまで対応、薄膜抵抗の形成も可能です。

特長

  • 完全カスタマイズ
  • 2.5μm~8μmまで対応、薄膜抵抗の形成も可能です。

  • アルミナ純度99.5%
  • 純度の高い基板は高周波帯域での低損失を実現します。

  • 優れた基本特性
  • 熱伝導や強度、さらに絶縁性に優れた高品質アルミナ基板です。

用途

  • 高周波デバイス用入出力基板
  • 光通信デバイス用サブマウント、中継基板
  • その他各種通信機器用回路基板

材料特性

項目 単位 測定値
アルミナ含有率 % ≧99.4
熱伝導率 W/m・K 29
熱膨張係数 X10-6/K 40~300℃…6.9
40~500℃…7.3
40~800℃…7.8
Q値   > 10000
誘電率 εr 9.8 @10GHz
10.3 @1MHz
体積固有抵抗 Ω・cm 25℃…> 1014
300℃…> 1014
500℃…> 1010
700℃…> 107

デザインガイド

項目 測定値
材料 アルミナ含有率 ≧99.4%
基板サイズ 50.8mm×50.8mm
基板厚 焼き上がり 0.254mm ±10%
(As fired)  0.381mm ±10%
0.635mm ±10%
標準表面粗さ
焼き上がり(As fired): 0.25μm Ra Max.
粗研磨(Lapped): 0.30μm Ra Max.
鏡面研磨(Polished): 0.025μm Ra Max.
膜構成 電極膜 NiCr-Au
TiW-Au
TiW-Pt-Au
TaN-NiCr-Au
TaN-TiW-Au
抵抗膜 窒化タンタル
(Tantalum Nitride)
25Ω /sq ±20%(加熱処理後)
50Ω /sq ±20%(加熱処理後)
100Ω /sq ±20%(加熱処理後)
抵抗温度係数 -100±50ppm/℃ @ -55℃~ +125℃
チップサイズ *   0.4mm×0.4mm Min.
電極パターン * パッドサイズ
ライン&ギャップ
長さ: 0.10mm Min. / 幅: 0.10mm Min.
ライン: 0.05mm Min. / ギャップ: 0.05mm Min.
パターンエリア
裏面セットバック 標準 0.05mm Min.
抵抗パターン   長さ: 0.05mm Min. / 幅: 0.10mm Min.
スルーホール   ご相談に応じます。
データ形式   DXF または DWG

*チップサイズ、及び電極パターン(微細仕様)については、個別でご相談に応じます。

品質保証ガイド

項目 測定値
ワイヤーボンディング試験  MIL-STD-883 M2011
ダイシェア試験  MIL-STD-883 M2019
耐熱試験  400℃×5分(電極のフクレ及び変色の確認)

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