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| ALTAS®(Reg.No.3,203,896)는 고주파 특성이 뛰어난 단판구조를 채용하여, 초소형으로 높은
용량치를 실현한 Ultra Hi-K Capacitor입니다.
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| 일본 최초 K=16,000~30,000의 고유전체 세라믹을 사용 |
| 2종류의 두께를 라인 업, 용도에 따라 사용 구분을 할 수 있습니다. |
특징
- New! Hi-K Row Capacitors Now Available (Download PDF 181KB)
- 고주파 특성이 뛰어난 단판구조
- 일본 최초 K=30000을 사용한 세라믹스로 높은 용량치를 확보
- 뛰어난 온도 특성
- 초소형 Size를 실현
- 고내압·고신뢰성
- ＥＩＡ 클래스Ⅳ준거
Spec
K=16,000(Single Electrode, Non Border Capacitors)
| 항목 |
사양 |
| 온도 특성 |
± 22% @ -55℃ to + 125℃ (X7S) |
| 유전체 클래스(EIA Class) |
Class Ⅳ |
| Type |
Border 없음(C Type) |
| Size : W x L |
0.25x0.25mm to 1.00x1.00mm |
| 두께 |
0.250±0.025mm & 0.150±0.025mm |
| 단자 전극(전극 두께) |
Ti（700 Å）/ Pt（1,500 Å）/ Au（4 um） |
| 정격 전압 |
100V for t=0.250mm |
| 50V for t=0.150mm |
| 용량치 |
50pF to 1,000pF @ +25℃ & 1kHz |
| 용량 공차 |
M = ±20% |
| Z = -20%/ +80% |
| V = -0%/ +100% |
| DF (Dissipation Factor） |
< 2.5% @+25℃ & 1kHz |
| IR (Insulation Resistance） |
> 1010 Ω @ +25℃ |
| DWV (Dielectric Withstanding Voltage） |
Rated Voltage × 2.5 @ +25℃ |
K=16,000(Row Capacitors)
| 항목 |
사양 |
| Temperature Characteristics (TC) |
±22% @ -55°C to +125°C (X7S) |
| EIA Dielectric Classification |
Class IV |
| Electrode Design |
Top: with border
Bottom: no border |
| Available Chip Sizes: W x L |
10 x 20 mils to 30 x 120 mils
(0.25 x 0.50 mm to 0.76 x 3.04 mm) |
| Thickness (t) Selection |
6mils±1mil
(0.150±0.025mm) |
| Metallization (Thickness) |
Top: TiW (700 Å) / Au (4μm) |
| Bottom: Ti(700 Å)/ Pt (1,500 Å)/ Au(4 um) |
| RWV (Rated Working Voltage) |
50V |
| Capacitance Selection |
82pF to 680pF (each pad) |
| Capacitance Tolerance |
N = ±30% |
| DF （Dissipation Factor） |
< 6.0% |
| IR （Insulation Resistance） |
104 MΩ |
| DWV （Dielectric Withstanding Voltage） |
RWV × 2.5 @ +25℃ |
K=30,000(Single Electrode, Non Border Capacitors)
| 항목 |
사양 |
| 온도 특성 |
± 15% @ -55℃ to + 125℃ (X7R) |
| 유전체 클래스(EIA Class) |
Class Ⅳ |
| Type |
Border 없음(C Type) |
| Size : W x L |
0.25x0.25mm to 2.25x2.25mm |
| 두께 |
0.250±0.025mm & 0.150±0.025mm |
| 단자 전극(전극 두께) |
Ti（700 Å）/ Pt（1,500 Å）/ Au（4 um） |
| 정격 전압 |
50V for t=0.250mm |
| 25V for t=0.150mm |
| 용량치 |
100pF to 10,000pF @ +25℃ & 1kHz |
| 용량 공차 |
M = ±20% |
| Z = -20%/ +80% |
| V = -0%/ +100% |
| DF (Dissipation Factor） |
< 2.5% @+25℃ & 1kHz |
| IR (Insulation Resistance） |
> 1010 Ω @ +25℃ |
| DWV (Dielectric Withstanding Voltage） |
Rated Voltage × 2.5 @ +25℃ |
특성 데이터
| Typical Temperature Characteristic |
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Typical Aging Property |
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Typical DC Bias Characteristic |
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Typical Resonance Frequency |
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Selection Guide
품질 보증 가이드
기본 품질 보증 (LOT마다)
| Wire Bonding 시험 |
MIL-STD-883F M2011 |
| Die Shear 시험 |
MIL-STD-883F M2019 |
| 내열 시험 |
400 ℃ x 5min |
신뢰성
| 수명 시험 |
125℃ × Working Voltage × 2000hr |
| 내습 부하 시험 |
85℃ × 85%RH × 3.0V(±0.25) × 240hr |
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)
