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鑽石切割設備及製品
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鑽石切割的優點
無水切割
因為在切割作業中不使用水,所以對水溶性的材質或靜電氣等,不會因為水的因素而造成對晶片的負面影響
。
Glass Wafer
Silicon Wafer
Scribed Sapphire LED
提升晶片集積率
一般而言,因為鑽石切割的幅度為2~5微米,可計畫將每個磊晶片上的晶粒集積率提高,降低成本。
裂痕控制
所謂的鑽石切割,是利用切割時,內部所產生的應力原理,將晶粒切割成所規劃期望之形狀。為了要能將其裂痕控制的得心應手,必須要先選擇與磊晶片最適合的刃口形狀。
晶射切割晶粒剖面
切割溝槽形狀(TD-3YGP)