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| ALTAS®(Reg.No.3,203,896)是採用高周波特性優良的單層結構設計， |
| 可實現體積超輕薄但電容值大的Hi-K單層電容。 |
| 首創日本使用K=30,000高誘電體陶瓷基板共有二種厚度供客戶選用。 |
優點
- 採用高周波特性優良的單層結構設計
- 首創日本使用K=30,000高誘電體陶瓷基板確保高電容值
- 溫度特性佳
- 實現尺寸超小型化
- 耐高電壓、高信賴度
- 符合EIA IV分級標準
規格
| 温度特性 @-55℃ to +125℃ |
± 15% (X7R) |
| 誘電率 |
30,000 |
| 誘電體分級(EIA Class） |
Class Ⅳ |
| 類型 |
C-類型 |
| 尺寸: W x L |
0.25x0.25 to 2.25x2.25 mm |
| 厚度( t ) |
0.250mm±0.025mm / 0.150mm±0.025mm |
| 鍍金結構（表裡兩面） |
Ti or TiW（700Å）/ Pt（1,500Å）/ Au（4μm min） |
| 定額電壓 |
50V ( t=0.250mm )25V ( t=0.150mm ) |
| 電容值 @25℃ @ 1kHz |
100 pF to 10,000 pF |
| 電容偏差值: |
M = ±20% |
| Z = -20%/ +80% |
| V = -0%/ +100% |
| DF @25℃ @1 kHz: |
< 2.5% |
| IR @25℃: |
> 1010Ω |
| DWV @25℃: |
Rated Voltage × 2.5 |
溫度性能曲線圖
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Temperture Characteristic |
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性能分析
| D.C.Bias Characteristic |
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Resonance Frequency |
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選購指南
品質保證
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Wire Bonding測試 |
MIL-STD-883F M2011 |
| Die Shear測試 |
MIL-STD-883F M2019 |
| 耐熱測試 |
400 ℃ x 5分鐘 |
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