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ALTAS® Ultra HI-K 單層電容

ALTAS®(Reg.No.3,203,896)是採用高周波特性優良的單層結構設計,可實現體積超輕薄但電
容值大的Hi-K單層電容。
首創日本使用K=16,000~30,000高誘電體陶瓷基板共有二種厚度供客戶選用。

特點

  • 【New!】 Hi-K 多連結電容 新發售 下載 (PDF形式:181KB)
  • 採用高周波特性優良的單層結構設計
  • 首創日本使用K=30,000高誘電體陶瓷基板確保高電容值
  • 溫度特性佳
  • 實現尺寸超小型化
  • 耐高電壓、高信賴度
  • 符合EIA IV分級標準

規格

K=16,000 (單一電極,無留邊電容)

内容 規格
溫度特性 ± 22% @ -55℃ to + 125℃ (X7S)
誘電體分級(EIA Class) Class Ⅳ
電極樣式 無留邊(C-Type)
尺寸: W x L 0.25x0.25mm to 1.00x1.00mm
厚度 0.250±0.025mm & 0.150±0.025mm
表裏電極(電極厚度) Ti(700 Å)/ Pt(1,500 Å)/ Au(4 um)
額定電壓 100V for t=0.250mm
50V for t=0.150mm
電容值 50pF to 1,000pF @ +25℃ & 1kHz
電容值公差 M = ±20%
Z = -20%/ +80%
V = -0%/ +100%
DF (損失係數) < 2.5% @+25℃ & 1kHz
IR (絕緣電阻) > 1010Ω @ +25℃
DWV (絕緣破壞電壓) Rated Voltage × 2.5 @ +25℃

K=16,000 (多連結電容)

内容 規格
溫度特性 ±22% @ -55°C to +125°C (X7S)
誘電體分級(EIA Class) Class Ⅳ
電極樣式 表面: 有留邊
裏面: 無留邊
尺寸: W x L 10 x 20 mils to 30 x 120 mils
(0.25 x 0.50 mm to 0.76 x 3.04 mm)
厚度 6mils±1mil
(0.150±0.025mm)
表裏電極(電極厚度) 表面: TiW (700Å) / Au (4µm)
裏面: Ti(700 Å) / Pt (1,500 Å) / Au(4 um)
額定電壓 50V
電容值 82pF to 680pF (each pad)
電容值公差 N = ±30%
DF (損失係數) < 6.0%
IR (絕緣電阻) 104
DWV (絕緣破壞電壓) RWV × 2.5 @ +25℃

K=30,000 (單一電極,無留邊電容)

内容 規格
溫度特性 ± 15% @ -55℃ to + 125℃ (X7R)
誘電體分級(EIA Class) Class Ⅳ
電極樣式 無留邊(C-Type)
尺寸: W x L 0.25x0.25mm to 2.25x2.25mm
厚度 0.250±0.025mm & 0.150±0.025mm
表裏電極(電極厚度) Ti(700 Å)/ Pt(1,500 Å)/ Au(4 um)
額定電壓 50V for t=0.250mm
25V for t=0.150mm
電容值 100pF to 10,000pF @ +25℃ & 1kHz
電容值公差 M = ±20%
Z = -20%/ +80%
V = -0%/ +100%
DF (損失係數) < 2.5% @+25℃ & 1kHz
IR (絕緣電阻) > 1010Ω @ +25℃
DWV (絕緣破壞電壓) Rated Voltage × 2.5 @ +25℃

特性曲線圖

Typical Temperature Characteristic   Typical Aging Property
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Typical DC Bias Characteristic Typical Resonance Frequency
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選購指南

品質保證

基本品質保證(每一LOT)

Wire Bonding測試 MIL-STD-883F M2011
Die Shear測試 MIL-STD-883F M2019
耐熱測試 400 ℃ x 5分鐘

可靠性

壽命測試 125℃ x Working Voltage x 2000hr
濕度測試 85℃ x 85%RH x 3.0V(±0.25) x 240hr
     
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03-337-0550