ワークに水も熱も与えることなく、ドライなクリーンカットができる工法として、スクライブ技術は、今日の半導体製造プロセスにおいても欠かせない技術の一つです。長年のダイヤモンド加工の経験を活かし、各種ウェハに対応するスクライブツールを取り揃えています。

 

スクライブツールセレクション

 

この表以外にも、ウェハ表面加工(エッチング有無、保護膜の材質他)、またチップサイズ(アスペクト比)など様々な状況により最適なスクライブツールが変わります。

 

スクライブツール紹介

TD-3YP

SiC、サファイアウェハ用

TD-3P

半導体ウェハ用(InP他)

TD-4PB

半導体ウェハ用(Si他)・(トゥカット)

TD-420

半導体ウェハ用(GaAs他)・ガラス用(ヒールカット)

*角度についてはご指定ください。

 

 

カスタム品

 

TD-2P

半導体ウェハ用(トゥカット)

TD-8P

スクライブ条件抽出・開発用(トゥ・ヒールカット)

*仕様についてはご相談ください。

 

 

スクライブカットの特徴

ドライカット

 

スクライブ中に水を用いないため、水溶性の素材や静電気
他、水が原因によるチップへの悪影響がありません。

 

チップ集積率向上

 

一般的に、スクライブによるV溝の幅は2~5μmであるため、ウェハ当りのチップ集積率が上がり、コストダウンを計画できます。

 

クラックコントロール

 

スクライブカットは、スクライブで発生する内部応力を用い、そこから起きるクラックで、チップを希望通りの形状にカットすることです。
このクラックを上手にコントロールするためには、ウェハに最適な刃先形状を選択することが必要です。

スクライブ ライン形状(TD-2P)

スクライブカット チップ断面

レーザーカット チップ断面

 

関連サイト

 

ケーススタディページ(ZnOウェハのパーフェクトスクライブの事例)

ケーススタディページ(スクライブカットによるメサ型ストリート基板チップ化の事例)

ケーススタディページ(SiCウェハのパーフェクトスクライブの事例)

ケーススタディページ(高集積化したInPウェハの高精度スクライブ)

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