SiC Wafer의 Chip화는 종래 공법으로는 매우 어려웠습니다

SiC(Silicon Carbide ・탄화규소)는 지구상에서 세 번째로 단단한 화합물입니다. 신 모스 경도는 13이며, SiC보다 단단한 것은 Diamond(신 모스 경도15), 탄화붕소(14)뿐입니다. 이처럼SiC Wafer는 단단한 기판이기 때문에 Dicing 공법으로는 절삭 속도가 느리며, 낮은 Throughput, Chipping이 큰 문제, Laser 공법으로는 퇴적물이 발생하거나 장치 그 자체가 고가이며 광원 안정성이라는 문제를 안고 있었습니다.

Scribe 공법으로 해결을 시도하였습니다

테크다이아 독자의 연마기술을 사용하여 Scribe Tool개발에 착수하였습니다. 동시에 개발한 Scribe Tool에 맞추어 Scribe Machine의 최적화를 시도하여, SiC Wafer의 Chip화에 성공하였습니다. 본 기술을 도입하면 고품질, 높은 Throughput으로 SiC Wafer의 Chip화를 실현할 수 있습니다.

‘Scribe Machine’과 ‘Scribe Tool’을 라인업하여, 기술개발에 여념이 없는 테크다이아이기 때문에 실현할 수 있었던 기술입니다.

고객 여러분이 바라는 ‘Goal’을 위한 자사 제품의 Customize 능력

고객 여러분으로부터 수령한 샘플을 Chip화하는 것은 물론, 이에 더하여 ‘어떤 결과를 원하는가’를 보다 구체적으로 귀 기울임으로써 자사제품의 기존 기술에 응용을 추가한 Customize 능력이 Point입니다.

본 기술은 Laser 공법에 비해 저렴한 설비와, Dicing 공법에 비해 고품질・높은 Throughput이 실현 가능합니다. SiC Wafer의 Chip화 공정을 권장합니다.