반도체 기술 혁신에 의한 GaN에 대한 관심의 고조
5G통신과 통신의 고속화에 따른 반도체 기술의 혁신은 진행되고 있습니다. 반도체 재료는 지금까지의 Si(실리콘)를 대신해 GaN(질화가륨)나 SiC(탄화 규소)가 이용되게 되었습니다. 통신의 고속화를 뒷받침하는 통신기지국에서는 소비전력이 적고 고출력인 GaN칩을 이용한 트랜지스터가 개발되고 있습니다. 테크다이아는 GaN 칩에 실장하기 쉬운 "고어스펙트비 장방형 콘덴서"의 개발로, 통신 시장에 공헌하고 있습니다.
Needs
도입 전의 실태·과제
GaN 칩의 크기에 따라 단층 세라믹 콘덴서가 요구되고 있었다
Solution
과제의 해결책
상식을 뒤집는 종횡비 1:6의 직사각형 콘덴서를 제작
Point
도입 결정의 이유
고객의 용도를 청취한 후 제품 설계력과 기존 상식을 초월하여 실현시키는 제조기술
Result
효과
실장 공정 단축 및 비용 절감에 기여
Needs도입 전의 실태·과제

GaN 칩의 크기에 따라 단층 세라믹 콘덴서가 요구되고 있었습니다

GaN 칩을 단일 층 세라믹 콘덴서에 와이어 본딩 할 때 GaN 칩의 출력이 매우 큰 임피던스를 일치시키기 위해 여러 와이어로 조정합니다. GaN 칩은 수평 구조가 주류이기 때문에 단층 세라믹 콘덴서의 길이도 GaN 칩에 맞출 필요가 있었습니다. 그러나 단층 세라믹 콘덴서의 크기도 가로 세로 비율 제한이 있고, 적당한 크기의 커패시터는 제조되지 않았습니다.

▲기존의 배열 방법 예. 여러 커패시터를 배열 할 필요가 있었다.

Solution과제의 해결책

“고아스펙트 대비 직사각형 콘덴서”로 부품 수 감소

테크다이아는 GaN칩 크기에 맞는 직사각형의 단층 세라믹 콘덴서를 제작했습니다. 가로 세로 비율은 일반적으로 1:3이 한계로 되었으나, 1:6의 비율로 제조, 단층 세라믹 콘덴서를 여러 개 배열을 없애고 부품 수와 실장 공정을 동시에 삭감했습니다.

Point도입 결정의 이유

고객의 용도를 청취한 후 정확한 설계력

단층 세라믹 콘덴서는 가늘고 길어짐에 따라 칩화 공정에서의 다이싱 시 깨지기 쉬움과 Au막이 쉽게 벗겨지는 등 제조상의 과제가 있습니다. 테크다이아는 독자적인 제조기술로 다이싱시에 깨지지 않는 가공, 설계에서는 Au막이 칩 단면에서 안쪽으로 들어가도록 세트백을 개발하여 과제를 해결. 또, 열팽창에 의한 제품의 뒤틀림이나 깨질 가능성이 있으므로, 고객의 용도를 청취 한 후, 뒷면의 Au막을 없애고 설계하였습니다.

Result효과

세로로 여러 개의 단층 세라믹 콘덴서를 실장하는 수고를 덜어, 고객의 실장 공정의 단축과 비용 절감으로 되었습니다.

클라이언트 정보

 

마이크로파 통신업계

 

문의

82-31-308-6500
영업 시간 9:00-18:00

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