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2010/05/25 〜 05/27 展示会「「MTT-S International Microwave Symposium 2010」（アメリカ、カリフォルニア州アナハイム）、ブース1511にて、セラミック単板キャパシタ、高誘電体セラミック単板キャパシタ「ALTAS（アルタス）」、GaNデバイス向けのバイアスTやDCパワーボード他を出展します。
http://www.ims2010.org/ |
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2010/03/23 〜 03/25 展示会「オプティカルファイバーコミュニケーションEXPO（OFC 2010）」（アメリカ、カリフォルニア州サンディエゴ）、ブース1849にて、セラミック単板キャパシタ、高誘電体セラミック単板キャパシタ「ALTAS（アルタス）」、キャパシタ+レジスタ「IRC」、アルミナ薄膜回路基、受託生産（CM）事業他を出展します。
http://www.ofcnfoec.org/ |
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弊社マイクロ波技術部製品のBias-T、P/N: TBT-H06M20が、米国Cree社から同社のハイパワーと広帯域GaN HEMT MMIC (25W、20MHz〜6GHｚ）、P/N: CMPA0060025Fのパワーアンプの評価テスト用のBias-Tとして採用されました。
http://www.tecdia.com/jp/inquiry/index.html |
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弊社マイクロ波技術部製品のGaN FET用DC Power Board、P/N: TGS-1025シリーズをリリースしました。GaN FETに適用するパワーボードで、DC/ DCコンバーター、出力調節、TTL、シークエンスコントロール機能を備えています。本商品は、単電源入力でドレイン出力24〜50Vdc / 15A Maxが選べ、ゲート出力は固定 -5V / 200mA Maxが供給できます。
http://www.tecdia.com/jp/inquiry/index.html |
