5G 발전으로 InP반도체 수요 증가
반도체 디바이스 분야에서는 오랫동안 Si(실리콘) 반도체가 채용되어 왔지만, 차세대 통신 인프라(5G/6G 통신, 데이터 센터) 전용의 시장에서, 어플리케이션측의 한층 더 고속화·대용량화의 요망에 응하기 위해, 채용되기 시작하고 있는 것은 화합물 반도체인 InP(인화 인듐)입니다.InP는 고전자 이동도와 저소비전력, 저소음 성능 등의 재료 특성을 갖추고 있어 특히 광무전기 반도체 다이오드로 사용되는 재료 중 하나입니다.
Needs
도입 전의 실태·과제
InP반도체의 품질은 그대로, 저비용화가 요구되고 있었습니다
Solution
과제의 해결책
좁은 스트리트 폭을 가진 InP 웨이퍼에 적합한 다이아몬드 스크라이버 제안
Point
도입 결정의 이유
높은 다이아몬드 가공 기술과 안정적인 양산 기술을 통한 첨단 형상의 안정성
Result
효과
5G 프론트 홀을 위한 칩화 공정에 채택되었습니다
Needs도입 전의 실태·과제

InP반도체의 품질은 그대로, 저비용화가 요구되고 있었습니다

InP반도체는 고기능·고성능인 한편, 아직도 고비용인 과제도 있었습니다.이에 반도체 제조사들은 비용 절감을 위해 InP 웨이퍼 1장당 칩 집적률을 높여 비용 절감을 도모했습니다.웨이퍼의 스트리트 폭(절단 폭)은 100μm 이하이며 웨이퍼의 칩 사이즈는 작은 것으로 170μm×170μm.스트리트 폭은 좁으면 좁을수록 웨이퍼를 낭비없이 사용할 수 있기 때문에 좁은 스트리트 폭의 웨이퍼를 고정밀도로 칩화하는 것이 요구되었습니다.

Solution과제의 해결책

좁은 스트리트 폭을 가진 InP 웨이퍼에 적합한 다이아몬드 스크라이버 제안

반도체 다이오드에 이용되는 칩은, 발광 효율을 높이기 위해 양단면을 빛의 방향과 수직이면서 매끄럽게 할 필요가 있습니다.따라서 InP 웨이퍼의 칩화에서는 벽개를 활용한 스크라이브 공법이 주류입니다.그래서 테크다이아는 웨이퍼 재료 중에서도 부드러운 InP(누프 경도 460)에 적합한 힐 각도 5도의 다이아몬드 스크라이버를 제안.고정밀 가공을 한 스크라이버에 의해 가공날 능선이 전자 회로에 닿지 않고 긁혀 크랙을 잘 컨트롤.고정밀 칩화를 실현할 수 있었습니다.

Point도입 결정의 이유

높은 다이아몬드 가공 기술과 안정적인 양산 기술을 통한 첨단 형상의 안정성

웨이퍼의 칩화는 최종 제품이 소형·고성능이 될수록 난 가공 조건이 부과됩니다.스크라이브 공법에 있어서 스크라이브 기술이나 스크라이브 장치는 종래부터 변화가 없고 다이아몬드 스크라이버 자체의 품질이 칩화의 정밀도에 영향을 미칩니다.InP는 부드럽고 섬세한 재료이기 때문에 그 영향이 현저하게 나타납니다.전자동화를 목표로 하는 클라이언트에 있어서, 완벽에 가까운 다이아몬드 스크라이버 제조를 대량으로 불균일 없는 품질로  테크다이아의 양산 기술도 높게 평가되었습니다.

Result효과

5G 프론트 홀을 위한 칩화 공정에 채택되었습니다

테크다이아의 다이아몬드 스크라이버는 InP외, GaAs와 GaN, SiC 등, 폭넓은 소재의 컷에 대응하는 형상을 라인업하고, 또한 커스터마이징 제작도 실시합니다.스크라이브 공법으로 고정밀 칩화를 원하시는 분, 꼭 상담해 주십시오.

클라이언트 정보

 

반도체 전자부품 제조업체(반도체 다이오드)

 

 

문의

82-31-308-6500
영업 시간 9:00-18:00

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