外觀

電極電鍍方案

表面	TiW – Au, TaN – TiW – Au
底面	TiW – Pt – Au, TaN – TiW – Pt – Au, TiW – Au, TaN – TiW – Au

型號範例

產品一覽

型號	各單位電容電容值代號	元件電容值	尺寸(mils) L × W	尺寸(mils) L × W	介電質
AMG0R5B1AG	0R5	0.25	12 × 24	0.3 × 0.6	K = 140
BMG0R5B1AG	0R5	0.25	12 × 24	0.3 × 0.6	K = 140
AMG5R0K2AG	5R0	2.5	12 × 24	0.3 × 0.6	K = 1,600
BMG5R0K2AG	5R0	2.5	12 × 24	0.3 × 0.6	K = 1,600
AMG150K2BG	150	7.5	20 × 33	0.5 × 0.85	K = 1,600
BMG150K2BG	150	7.5	20 × 33	0.5 × 0.85	K = 1,600
AMG250K2BG	250	12.5	20 × 33	0.5 × 0.85	K = 2,800
BMG250K2BG	250	12.5	20 × 33	0.5 × 0.85	K = 2,800

＊振動頻率與電容值不適用於此產品。

搜尋陶瓷產品

您可以根據需要的規格搜尋陶瓷產品，並於搜尋結果中下載規格表。

單層陶瓷電容

使用K=40-50,000材質的單層陶瓷電容。
請根據您所需的規格進行搜尋。

產品資訊：A型單層陶瓷電容
產品資訊：B型單層陶瓷電容
產品資訊：C型單層陶瓷電容

*必填

電容值*:

※可長按拖曳選擇範圍。

尺寸:

額定電壓:

電容值公差:

類型:

多連結電容

使用K=16,000的材質，體積小、容值大的多連結電容。
內含 2-4個電極。可對應客製化需求。

產品資訊：多連結電容

電極數 :

最大電極之電容值 :

薄膜晶片電阻

薄膜晶片電阻可以對應 Au/Sn焊料和銀膠。
最大電阻額定功率為100mW，可對應0.4×0.4mm以上尺寸。

產品資訊：薄膜晶片電阻

電阻值 :

尺寸 :

長方形電容

捷科泰亞販賣各式各樣高長寬比的電容，大量應用於氮化鎵(GaN)晶體管的製造。

產品資訊：長方形電容

*必填

電容值：*:

※可長按拖曳選擇範圍。

電容值公差:

尺寸:

IRC一體化電容電阻

電阻結合電容後放在Class IV（K=16,000）的電容中，集成單一晶片，減少打線數量與BOM List 的元件數量

產品資訊：IRC一體化電容電阻

電容值:

尺寸:

電阻值:

陣列電容

陣列電容為3、4或5個電極共用一個底面，方便調整電容值以被運用在電路中。

產品資訊：陣列電容

*必填

最大電極之電容值：*:

※可長按拖曳選擇範圍。

電容值公差:

尺寸:

電極數:

雙極電容

雙極電容為在表面有兩個電極的長方形電容。可以在面向下時取代接線連接電路，避免線圈的電感效應。

產品資訊：雙極電容

*必填

各別電極容值：*:

※可長按拖曳選擇範圍。

電容值公差:

尺寸:

Ground Block

是可客製的導電陶瓷墊片。在光通訊與微波通訊產業應用中，是輔助封裝的理想選擇。如有尺寸客製需求，歡迎與我們聯絡。

產品資訊：Ground Block

尺寸:

※可長按拖曳選擇範圍。

搜尋到以下產品。請選擇您所需產品，填寫下方表格以下載規格書並與我們聯繫。

	產品型號	產品規格表	電容值 (pF)	電容值公差	尺寸 (mil/mm)	尺寸公差 (mil/mm)	厚度 (mil/mm)	厚度 (mil/mm)	額定電壓	類型	溫度特性

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