半導体の技術革新による、GaNへの注目の高まり

5G通信をはじめ、通信の高速化に伴う半導体技術の革新は進んでいます。半導体材料はこれまでのSi(シリコン)に代わってGaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)が用いられるようになりました。通信の高速化を支える通信基地局では、消費電力が少なく高出力な、GaNチップを用いたトランジスタが開発されています。テクダイヤはGaNチップに実装しやすい「高アスペクト比長方形コンデンサ」の開発で、通信市場に貢献しています。

GaNチップの大きさに合わせた単層セラミックコンデンサが求められていました

GaNチップを単層セラミックコンデンサにワイヤボンディングする際、GaNチップの出力が非常に大きく、インピーダンスを一致させるため、複数のワイヤーで調整します。GaNチップは横長構造が主流なため、単層セラミックコンデンサの長さもGaNチップに合わせる必要がありました。しかし、単層セラミックコンデンサのサイズにもアスペクト比の制限があり、適当するサイズのコンデンサは製造されていませんでした。

「高アスペクト比長方形コンデンサ」で部品数減

テクダイヤは、GaNチップの大きさに合わせた長方形の単層セラミックコンデンサを製作しました。縦横比率は一般的に1:3が限界とされていましたが、1:6の比率で製造、単層セラミックコンデンサを複数並べる必要を無くし、部品点数と実装工程をともに削減しました。

お客様からの用途をヒアリングしたうえでの、的確な設計力

単層セラミックコンデンサは細長くなるにつれ、チップ化工程でのダイシング時における割れやすさや、金膜の剥がれやすさなど、製造上の課題があります。テクダイヤは独自の製造技術でダイシング時に割れにくい加工、設計では金膜がチップ端面から内側に入り込むようなセットバックを開発し、課題を解決。さらに、熱膨張による製品の反りや割れる可能性があるため、お客様の用途をヒアリングしたうえで、裏側の金膜を無くして設計しました。

マイクロ波通信業界

長方形単層セラミックコンデンサ

ページトップへ