薄膜回路カスタム基板

 

デザイン一覧

 

 

 

 

関連サイト

 

ケーススタディページ(ハイブリッド回路基板製作技術)

 

基板「特急」納品サービス

 

薄膜回路基板の試作を、ご注文より最短「1週間」でご提供します。(特定のデザインに限ります。)

 

 

検査基準

・民生と航空宇宙システム向けの幅広いアプリケーションに適応
・検査方法のグレードを、スタンダード、コマーシャル、カスタムの3種類に分類
・ロット毎にサンプリングで機械的・電気的特性検査をし、外観検査は全数試験を実施

 

標準検査

 

検査項目 検査数量 許容不良数
外観検査 Inspection Lot AQL II(1.0%) Inspection Lot AQL II(1.0%)
寸法測定 3 pcs per Wafer Lot 0

*その他の検査はデザインによって異なりますので、お問い合せください。

 

その他の試験能力

 

項目 試験条件
温度サイクル MIL-STD-883 / Method 1010 Cond. A / B / C
熱衝撃 MIL-STD-202 / Method 107 Cond. A / B / F
ダイシェア強度 MIL-STD-883 / Method 2019
振動 MIL-STD-202 / Method 201
高周波振動 MIL-STD-202 / Method 204 Cond. A / D
可変振動 MIL-STD-883 / Method 2007 Cond. A

 

仕様

 

単位 アルミナ(Al2O3) 窒化アルミニウム(AlN)
99.6%(標準) 170W/mK(標準)
厚み mm 0.254 / 0.381 / 0.508 / 0.635
(最小: 0.10 最大: 1.30)
厚み公差 mm 0.013
サイズ 最大 mm 10.0 × 10.0
最小 mm 0.25 × 0.25
表面粗さ 表面 Ra μm (μ”) Polish 0.025 (0.001) Polish 0.051 (0.002)
裏面 Ra μm (μ”) Polish 0.025 (0.001) Polish 0.051 (0.002)
膜構成 電極膜 Ti – Pt – Au
膜厚 標準 μm Au: 0.10 – 5.00
Pt: 0.15
Ti: 0.06
Au: 0.10 – 3.00
Pt: 0.15
Ti: 0.06
抵抗 抵抗膜 窒化タンタル (TaN)
シート抵抗 Ω/sq 25 / 50 / 75 / 100
温度特性 ppm/℃ -100 ± 50
AuSn 組成比 % Au : Sn = 80 : 20 (Nominal)
厚さ μm 3.00 – 7.00
ライン&スペース mm 標準 0.025 / 0.025  最小 0.01 / 0.01
セットバック mm 標準 0.03

*基板「特急」納品サービスの仕様は異なります
*誘電体、フェライト、石英等、その他材料はお問い合わせください
*その他仕様についてもお問い合わせください

 

材料特性

 

アルミナ基板

 

項目 項目 仕様
色調 White
含有率* % 99.6
密度 g/㎝2 3.88
熱伝導率 W/m・K 26.9
熱膨張係数 X10-6 /℃ 25 ~ 300℃ : 7
25 ~ 600℃ : 7.2
誘電率ε @1MHz 9.9
誘電損失 @1MHz 0.0001
体積固有抵抗 Ω・cm 25℃ : >1.0×1014
100℃ : >1.0×1014
300℃ : >1.0×1014

 

窒化アルミニウム基板

 

項目 項目 仕様
色調 Gray
密度 g/㎝2 3.3
熱伝導率 W/m・K 170
熱膨張係数 X10-6 /℃ 25 ~ 500℃ : 4.6
誘電率ε @1MHz 8.8
誘電損失 @1MHz 0.0001
体積固有抵抗 Ω・cm 25℃ : >1.0×1014

 

梱包方法 / 環境対応

 

梱包方法

 

梱包方法にご指定がある場合はご相談ください。

 

素材 サイズ
ワッフルパック ABS 白/ナチュラル 2inch / 4inch
ワッフルパック* 帯電防止 2inch / 4inch

*トレイのポケットサイズはご相談ください。

 

環境対応

 

製品:欧州RoHS指令対応
梱包材:欧州容器包装と容器包装廃棄物に関する指令に対応

 

使用上の注意

保管環境

 

性能保証責任期間 納品後1年
保存条件* トレイ品 温度+13℃~ +33℃ 湿度60%RH以下
テープ品(UVテープを除く) 温度+20℃~ +26℃ 湿度60%RH以下

*常圧下で、直射日光、振動、衝撃、腐食性ガス雰囲気、その他特殊なガス、凍結、結露、塵埃環境下の保存は避けてください。
また、製品は素手で直接触れないでください。

 

実装時の推奨条件及び注意事項

 

 ダイアタッチの条件

 

実装時は接合剤の盛りすぎによる側面のショートにご注意ください。
またクラックは実装条件に依存しますので、ユーザー様の条件で確認されることをお奨めします。

 

 ワイヤーボンディング推奨条件

 

・使用ワイヤー Φ30um以下のAuワイヤー
・ボンディング温度
(補足事項)
ウェッジボンディング : 200~270℃
ボールボンディング : 150~250℃
ツールヒーティングの併用をお奨めします。
・ボンディング方式 熱圧着または超音波熱圧着
・注意事項 電極端から25um以上離した位置にボンディングしてください。
なお、ハードワイヤーでボンディング加速度が大きいとセラミック材料の表面を損傷し、
電極剥がれの原因になることがありますので、実装条件にて確認、調整をお奨めします。

お問い合わせ

03-5765-5400
営業時間 9:00-17:45

お問い合わせ
...