基本情報
・民生と航空宇宙システム向けの幅広いアプリケーションに適応
・検査方法のグレードを、スタンダード、コマーシャル、カスタムの3種類に分類
・ロット毎にサンプリングで機械的・電気的特性検査をし、外観検査は全数試験を実施
単層セラミックコンデンサ 「Aタイプ」 (ClassⅠ, ClassⅡ)
単層セラミックコンデンサ 「Bタイプ」 (ClassⅠ, ClassⅡ)
単層セラミックコンデンサ 「Cタイプ」(ClassⅠ, ClassⅡ)
長方形単層セラミックコンデンサ
バイナリー型セラミックコンデンサ
ギャップ型セラミックコンデンサ
| 検査項目 | 検査数量 | |
| 外観 | 外観検査 | Inspection Lot AQL II(1.0％) |
| 電気特性 | 静電容量 | Inspection Lot AQL II(1.0％) |
| 誘電損失 | Inspection Lot AQL II(1.0％) | |
| 絶縁抵抗 | 10 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures | |
| 機械特性 | ワイヤー引張強度 | 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures |
| 耐熱 | 400 °C For 5 min | 5 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures |
| 寸法 | 寸法測定 | 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures |
単層セラミックコンデンサ 「Aタイプ」 (Class Ⅳ)
単層セラミックコンデンサ 「Cタイプ」 (Class Ⅳ)
マルチ電極セラミックコンデンサ
| 検査項目 | 検査数量 | |
| 外観 | 外観検査 | Inspection Lot AQL II(1.0％) |
| 電気特性 | 静電容量 | Inspection Lot AQL II(1.0％) |
| 誘電損失 | Inspection Lot AQL II(1.0％) | |
| 絶縁抵抗 | Inspection Lot AQL Ⅰ(0.15%) | |
| 機械特性 | ワイヤー引張強度 | 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures |
| 寸法 | 寸法測定 | 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures |
抵抗付セラミックコンデンサ
| 検査項目 | 検査数量 | 許容不良数 | |
| 外観 | 外観検査 | Inspection Lot AQL II(1.0％) | Inspection Lot AQL II(1.0％) |
| 電気特性 | 静電容量 | Inspection Lot AQL II(1.0％) | Inspection Lot AQL II(1.0％) |
| 誘電損失 | Inspection Lot AQL II(1.0％) | Inspection Lot AQL II(1.0％) | |
| 絶縁抵抗 | Inspection Lot AQL Ⅰ(0.15%) | Inspection Lot AQL Ⅰ(0.15%) | |
| 抵抗値 | Inspection Lot AQL I(1.5%) | Inspection Lot AQL I(1.5%) | |
| 機械特性 | ワイヤー引張強度 | 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures | 0 |
| 耐熱 | 320 °C For 5 min. | 3 pcs per Wafer Lot | 0 |
| 寸法 | 寸法測定 | 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures | 0 |
薄膜チップ抵抗器
| 検査項目 | 検査数量 | 許容不良数 | |
| 外観検査 | Inspection Lot AQL II(1.0％) | Inspection Lot AQL II(1.0％) | |
| 電気特性 | 抵抗値 | Inspection Lot AQL I(1.5%) | Inspection Lot AQL I(1.5%) |
| 機械特性 | ワイヤー引張強度 | 3 pcs per Wafer Lot | 0 |
| 耐熱 | 320 °C For 5 min. | 3 pcs per Wafer Lot | 0 |
| 寸法 | 寸法測定 | 3 pcs per Wafer Lot | 0 |
グラウンド・ブロック
| 検査項目 | 検査数量 | 許容不良数 | |
| 外観検査 | Inspection Lot AQL II(1.0％) | Inspection Lot AQL II(1.0％) | |
| 機械特性 | ワイヤー引張強度 | 3 pcs per Wafer Lot | 0 |
| 耐熱 | 400 °C For 5 min | 3 pcs per Wafer Lot | 0 |
| 寸法 | 寸法測定 | 3 pcs per Wafer Lot | 0 |
*その他の検査はデザインによって異なりますので、お問い合せください。
| MIL-PRF-38534, Table C-Ⅲ-1, Class H |
| 項目 | 試験条件 | ||||||
| 温度サイクル | MIL-STD-883 / Method 1010 Cond. A / B / C | ||||||
| 熱衝撃 | MIL-STD-202 / Method 107 Cond. A / B / F | ||||||
| ダイシェア強度 | MIL-STD-883 / Method 2019 | ||||||
| 温度特性 | EIA-198 / Method 105 (B) | ||||||
| 浸漬 | MIL-STD-202 / Method 104 Cond. A / B | ||||||
| 耐湿 | MIL-STD-202 / Method 106 | ||||||
| 寿命 | MIL-PRF-49464 / par. 4.8.13 | ||||||
| 振動 | MIL-STD-202 / Method 201 | ||||||
| 高周波振動 | MIL-STD-202 / Method 204 Cond. A / D | ||||||
| 可変振動 | MIL-STD-883 / Method 2007 Cond. A | ||||||
用途に応じてA、B、Cの3タイプをラインナップ、お客様のご使用条件、ご要求仕様に基づき、
コストも含めた最適なソリューションをご提供します。
| Aタイプ | Bタイプ | Cタイプ | |
| 表面 | ボーダー有 | ボーダー有 | フルメタライズ |
| 裏面 | フルメタライズ | ボーダー有 | フルメタライズ |
| 製品 | Aタイプ | Bタイプ | Cタイプ |
| 単層セラミックコンデンサ(ClassⅠ&ClassⅡ) | ◯ | ◯ | ◯ |
| 単層セラミックコンデンサ(ClassⅣ) | ◯ | ◯ | |
| 長方形単層セラミックコンデンサ | ◯ | ||
| バイナリー型セラミックコンデンサ | ◯ | ◯ | |
| ギャップ型セラミックコンデンサ | ◯ | ◯ | |
| マルチ電極セラミックコンデンサ | ◯ | ||
| 抵抗付きセラミックコンデンサ | ◯ | ||
| 薄膜チップ抵抗器 | ◯ | ||
| グラウンド・ブロック | ◯ |
カスタム品については、お問い合せください。
Class IからIVの材料を取り揃え、お客様の用途に合わせて製品をお選びいただけます。
| EIA クラス*2 |
テクダイヤ 誘電体 コード |
誘導率 (ノミナル値) |
誘電損失 @25℃ |
絶縁抵抗 @25℃ |
EIA TC コード*2 |
温度特性 | 温度範囲 |
| 1 | P | 40 | < 0.15% @ 1 MHz | 106MΩ | C0G | 0 ± 30 ppm / °C | -55 °C to +125 °C |
| 1 | 4 | 90 | < 0.25% @ 1 MHz | 106MΩ | S2H | -330 ± 60 ppm / °C | -55 °C to +125 °C |
| 1 | 5 | 140 | < 0.25% @ 1 MHz | 106MΩ | U2J | -750 ± 120 ppm / °C | -55 °C to +125 °C |
| 1 | 7 | 280 | < 0.25% @ 1 MHz | 105MΩ*1 | M3K | -1000 ± 250 ppm / °C | -55 °C to +125 °C |
| 2 | F | 1,600 | < 2.5% @ 1 kHz | 105MΩ | X7R | ± 15% | -55 °C to +125 °C |
| 2 | C | 2,800 | < 2.5% @ 1 kHz | 105MΩ | X7R | ± 15% | -55 °C to +125 °C |
| 2 | J | 4,200 | < 2.5% @ 1 kHz | 105MΩ | X7R | ± 15% | -55 °C to +125 °C |
| 4 | 10 | 16,000 | < 2.5% @ 1 kHz | 104MΩ | X7S | ± 22% | -55 °C to +125 °C |
| 4 | 11 | 30,000 | < 2.5% @ 1 kHz | 104MΩ | X7S | ± 22% | -55 °C to +125 °C |
| 4 | 12 | 50,000 | < 2.5% @ 1 kHz | 104MΩ | X7S | ± 22% | -55 °C to +125 °C |
*1 特注品で106MΩ@25℃がご利用いただけます。
*2 EIA-198-1-Fをご覧ください。
 |
 |
 |
 |
 |
 |
単層セラミックコンデンサ(Aタイプ・Cタイプ)の裏面にAuSnを成膜することが可能です。
AuSnの成膜で実装時の製造工程削減につながります。
ケーススタディページ(AuSn付セラミックコンデンサの事例)
単層セラミックコンデンサの裏面にAuを付けないことで、エポキシ実装時のコストを削減します。
スタンダードの梱包方法に加え、カスタマイズが可能です。
| 素材 | 色 | サイズ | |
| ワッフルパック | ABS | 白 / ナチュラル | 2inch |
| 素材 | 色 | サイズ | |
| ワッフルパック* | ABS/PC/PP** | 黒 | 2inch |
| ブルーテープ(w/Ring) | PVC | 青 | Φ 6 inch |
| ブルーテープ(w/o Ring) | PVC | 青 | 7.87 inch |
*トレイのポケットサイズはご相談ください。
**導電性/帯電防止グレード
製品：欧州RoHS指令対応
梱包材：欧州容器包装と容器包装廃棄物に関する指令に対応
| 性能保証責任期間 | 納品後1年 *2 | |
| 保存条件 *1 | トレイ品 | 温度+13℃～ +33℃ 湿度60％RH以下 |
| テープ品（UVテープを除く） | 温度+20℃～ +26℃ 湿度60%RH以下 | |
*1 常圧下で、直射日光、振動、衝撃、腐食性ガス雰囲気、その他特殊なガス、凍結、結露、塵埃環境下の保存は避けてください。
また、製品には素手で直接触れないでください。
*2 テープ品に関する保証は納品後3ヶ月とさせていただきます。
AuSnなどの半田でダイアタッチする場合は製品のダイアタッチ面にPtもしくはNiCrのバリア膜を有している製品を推奨します。
実装時は接合剤の盛りすぎによる側面のショートにご注意ください。
またクラックは実装条件に依存しますので、ユーザー様の条件で確認されることをお奨めします。
| ・使用ワイヤー | Φ30um以下のＡｕワイヤー |
| ・ボンディング温度 （補足事項） |
ウェッジボンディング ： 200～270℃ ボールボンディング ： 150～250℃ ツールヒーティングの併用をお奨めします。 |
| ・ボンディング方式 | 熱圧着または超音波熱圧着 |
| ・注意事項 | 電極端から25um以上離した位置にボンディングしてください。 なお、ハードワイヤーでボンディング加速度が大きいとセラミック材料の表面を損傷し、 電極剥がれの原因になることがありますので、実装条件にて確認、調整をお奨めします。 |
03-5765-5400
営業時間 9:00-17:45
