検査基準

 

・民生と航空宇宙システム向けの幅広いアプリケーションに適応
・検査方法のグレードを、スタンダード、コマーシャル、カスタムの3種類に分類
・ロット毎にサンプリングで機械的・電気的特性検査をし、外観検査は全数試験を実施

 

標準検査

 

単層セラミックコンデンサ 「Aタイプ」 (ClassⅠ, ClassⅡ)

単層セラミックコンデンサ 「Bタイプ」 (ClassⅠ, ClassⅡ)

単層セラミックコンデンサ 「Cタイプ」(ClassⅠ, ClassⅡ)

長方形単層セラミックコンデンサ

バイナリー型セラミックコンデンサ

ギャップ型セラミックコンデンサ

検査項目 検査数量
外観 外観検査 Inspection Lot AQL II(1.0%)
電気特性 静電容量 Inspection Lot AQL II(1.0%)
誘電損失 Inspection Lot AQL II(1.0%)
絶縁抵抗 10 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures
機械特性 ワイヤー引張強度 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures
耐熱 400 °C For 5 min 5 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures
寸法 寸法測定 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures

 

 

単層セラミックコンデンサ 「Aタイプ」 (Class Ⅳ)

単層セラミックコンデンサ 「Cタイプ」 (Class Ⅳ)

マルチ電極セラミックコンデンサ

検査項目 検査数量
外観 外観検査 Inspection Lot AQL II(1.0%)
電気特性 静電容量 Inspection Lot AQL II(1.0%)
誘電損失 Inspection Lot AQL II(1.0%)
絶縁抵抗 Inspection Lot AQL Ⅰ(0.15%)
機械特性 ワイヤー引張強度 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures
寸法 寸法測定 3 pics per Wafer Lot . 0 Allowable Failures

 

 

薄膜チップ抵抗器

検査項目 検査数量 許容不良数
外観検査 Inspection Lot AQL II(1.0%) Inspection Lot AQL II(1.0%)
電気特性 抵抗値 Inspection Lot AQL I(1.5%) Inspection Lot AQL I(1.5%)
機械特性 ワイヤー引張強度 3 pcs per Wafer Lot 0
耐熱 320 °C For 5 min. 3 pcs per Wafer Lot 0
寸法 寸法測定 3 pcs per Wafer Lot 0

 

 

グラウンド・ブロック

検査項目 検査数量 許容不良数
外観検査 Inspection Lot AQL II(1.0%) Inspection Lot AQL II(1.0%)
機械特性 ワイヤー引張強度 3 pcs per Wafer Lot 0
耐熱 400 °C For 5 min 3 pcs per Wafer Lot 0
寸法 寸法測定 3 pcs per Wafer Lot 0

*その他の検査はデザインによって異なりますので、お問い合せください。

 

カスタム検査試験 (対象商品:単層セラミックコンデンサ)

 

MIL-PRF-38534, Table C-Ⅲ-1, Class H

 

その他の試験能力

 

項目 試験条件
温度サイクル MIL-STD-883 / Method 1010 Cond. A / B / C
熱衝撃 MIL-STD-202 / Method 107 Cond. A / B / F
ダイシェア強度 MIL-STD-883 / Method 2019
温度特性 EIA-198 / Method 105 (B)
浸漬 MIL-STD-202 / Method 104 Cond. A / B
耐湿 MIL-STD-202 / Method 106
寿命 MIL-PRF-49464 / par. 4.8.13
振動 MIL-STD-202 / Method 201
高周波振動 MIL-STD-202 / Method 204 Cond. A / D
可変振動 MIL-STD-883 / Method 2007 Cond. A

 

タイプ

用途に応じてA、B、Cの3タイプをラインナップ、お客様のご使用条件、ご要求仕様に基づき、
コストも含めた最適なソリューションをご提供します。

タイプ紹介

 

Aタイプ Bタイプ Cタイプ
表面 ボーダー有 ボーダー有 フルメタライズ
裏面 フルメタライズ ボーダー有 フルメタライズ

製品別タイプ早見表

製品 Aタイプ Bタイプ Cタイプ
単層セラミックコンデンサ(ClassⅠ&ClassⅡ)
単層セラミックコンデンサ(ClassⅣ)
長方形単層セラミックコンデンサ
バイナリー型セラミックコンデンサ
ギャップ型セラミックコンデンサ
マルチ電極セラミックコンデンサ
薄膜チップ抵抗器
グラウンド・ブロック

カスタム品については、お問い合せください。

誘電体仕様

Class IからIVの材料を取り揃え、お客様の用途に合わせて製品をお選びいただけます。

 

誘電体材料特性

 

EIA
クラス*2
テクダイヤ
誘電体
コード
誘導率
(ノミナル値)
誘電損失
@25℃
絶縁抵抗
@25℃
EIA TC
コード*2
温度特性 温度範囲
1 P 40 < 0.15% @ 1 MHz 106 C0G 0 ± 30 ppm / °C -55 °C to +125 °C
1 4 90 < 0.25% @ 1 MHz 106 S2H -330 ± 60 ppm / °C -55 °C to +125 °C
1 5 140 < 0.25% @ 1 MHz 106 U2J -750 ± 120 ppm / °C -55 °C to +125 °C
1 7 280 < 0.25% @ 1 MHz 105MΩ*1 M3K -1000 ± 250 ppm / °C -55 °C to +125 °C
2 F 1,600 < 2.5% @ 1 kHz 105 X7R ± 15% -55 °C to +125 °C
2 C 2,800 < 2.5% @ 1 kHz 105 X7R ± 15% -55 °C to +125 °C
4 10 16,000 < 2.5% @ 1 kHz 104 X7S ± 22% -55 °C to +125 °C
4 11 30,000 < 2.5% @ 1 kHz 104 X7S ± 22% -55 °C to +125 °C
4 12 50,000 < 2.5% @ 1 kHz 104 X7S ± 22% -55 °C to +125 °C

*1 特注品で106MΩ@25℃がご利用いただけます。
*2 EIA-198-1-Fをご覧ください。

 

特性データ

代表温度特性

 

オプション

 

用途に応じてA、B、Cの3タイプをラインナップ、お客様のご使用条件、ご要求仕様に基づき、
コストも含めた最適なソリューションをご提供します。

 

AuSnの成膜

 

単層セラミックコンデンサ(Aタイプ・Cタイプ)の裏面にAuSnを成膜することが可能です。
AuSnの成膜で実装時の製造工程削減につながります。

関連ページ

 

ケーススタディページ(高誘電率単層セラミックコンデンサの事例)

 

Au無し

 

単層セラミックコンデンサの裏面にAuを付けないことで、エポキシ実装時のコストを削減します。

梱包方法 / 環境対応

 

梱包方法

 

スタンダードの梱包方法に加え、カスタマイズが可能です。

 

スタンダード

 

素材 サイズ
ワッフルパック APS 白 / ナチュラル 2inch

 

カスタマイズ

 

素材 サイズ
ワッフルパック* 帯電防止 2inch
ブルーテープ(w/Ring) PVC Φ 6 inch
ブルーテープ(w/o Ring) PVC 7.87 inch

*トレイのポケットサイズはご相談ください。

 

環境対応

 

製品:欧州RoHS指令対応
梱包材:欧州容器包装と容器包装廃棄物に関する指令に対応

使用上の注意

保管環境

 

性能保証責任期間 納品後1年 *2
保存条件 *1 トレイ品 温度+13℃~ +33℃ 湿度60%RH以下
テープ品(UVテープを除く) 温度+20℃~ +26℃ 湿度60%RH以下

*1 常圧下で、直射日光、振動、衝撃、腐食性ガス雰囲気、その他特殊なガス、凍結、結露、塵埃環境下の保存は避けてください。
また、製品は素手で直接触れないでください。
*2 テープに関する保証は納品後3ヶ月とさせていただきます。

 

実装時の推奨条件及び注意事項

 

 ダイアタッチの条件

 

AuSnなどの半田でダイアタッチする場合は製品のダイアタッチ面にPtもしくはNiCrのバリア膜を有している製品を推奨します。
実装時は接合剤の盛りすぎによる側面のショートにご注意ください。
またクラックは実装条件に依存しますので、ユーザー様の条件で確認されることをお奨めします。

 

 ワイヤーボンディング推奨条件

 

・使用ワイヤー Φ30um以下のAuワイヤー
・ボンディング温度
(補足事項)
ウェッジボンディング : 200~270℃
ボールボンディング : 150~250℃
ツールヒーティングの併用をお奨めします。
・ボンディング方式 熱圧着または超音波熱圧着
・注意事項 電極端から25um以上離した位置にボンディングしてください。
なお、ハードワイヤーでボンディング加速度が大きいとセラミック材料の表面を損傷し、
電極剥がれの原因になることがありますので、実装条件にて確認、調整をお奨めします。

お問い合わせ

03-5765-5400
営業時間 9:00-17:45

お問い合わせ
...